
La société Samco (Semiconductor And Materials COmpany) a été fondée par Osamu Tsuji en 1979.
En tant que pionnier et acteur principal dans le développement des processus de nettoyage UV-Ozone, de gravure, et de dépôt, notamment avec les techniques PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), LSCVD (Liquid Source Chemical Vapor Deposition), MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) et DLC (Diamond-Like Carbon),
Samco a accumulé plus de 30 ans de connaissance et d'expérience dans ces domaines.


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L'UV2 de Samco est un système de nettoyage Uv-Ozone compact, convivial, et de Haute performance. Ce système est modulaire, il peut être configuré spécifiquement sur commande pour des applications de nettoyage, décapage ou polymérisation. |
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Dimensions : 610(W) x 572(D) x 426(H) mm |
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Fonctions L'UV2 s'adapte à une variété de tailles de plaquettes de 20cm de diamètre. Compact, l'UV2 utilise un minimum d'espace pour un maximum de confort. Etape de chauffage de l'échantillon afin d'accélérer le nettoyage / Taux de décapage. Large intervalle de choix de température (Ambiante jusqu'à 300°C). Processus entiérement sec, aucun risque de causer des dommages sur les circuits électriques. L'UV2 opère sous pression atmosphérique, aucun système de mise sous vide nécessaire. Un système de verrouillage du tiroir sécurise l'utilisation de l'UV2 qui ne démarre pas l'opération si le tiroir reste ouvert. Un système automatique purge l'azote présent dans la cabine de l'UV2 après chaque opération de nettoyage UV. Un catalyseur d'ozone ("tueur d'ozone") est intégré dans le système La cabine de l'UV2 est étanche pendant le processus afin d'éviter une contamination de l'échantillon venant de l'air atmosphérique. |
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Applications Suppression de la contamination organique Pré-nettoyage de plaquettes (par exemple nettoyage d'un substrat en saphir avant le processus de dépôt de HgCdTe) Suppression de résidus sur une résine photosensible ou sur une surface composée de polyimides Modification de surfaces afin d'obtenir une meilleure adhérence Nettoyage final avant un collage moléculaire Séchage UV Croissance de films minces d'oxyde stable (GE, Si) Nettoyage de pointes AFM |
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